当前紧张局面集中在钇、钪等稀土家族中的“小众元素”上，这些元素在国防技术、航天工业及半导体制造中虽用量极小，却起着难以替代的关键作用，而其生产几乎完全依赖中国。
在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
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Фото: Екатерина Якель / «Лента.ру»
22:15, 27 февраля 2026Из жизни